武漢科思特CS150H電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位電位控制范圍：±10V

恒電流控制范圍：±2.0A

電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)

電位分辨率：10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz)

電流靈敏度：1pA

電位上升時(shí)間：<1mS(<10mA), <10mS(<2A)

參比電極輸入阻抗：10¹²W||20pF

電流量程：2nA～2 A ， 共10檔

槽壓：±21V

大輸出電流：2.0A

CV 和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s

CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s

電流掃描增量：1mA @1A/mS

電位掃描時(shí)電位增量：0.076mV @1V/mS

SWV頻率：0.001～100KHz

DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s

AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz, 20bit @1KHz

DA分辨率：16bit, 建立時(shí)間：1mS

CV的小電位增量：0.075mV

IMP頻率：10mHz~1MHz

低通濾波器：8段可編程

電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置

接口通訊模式：USB2.0

2、CorrTest測(cè)量與控制軟件主要功能

穩(wěn)態(tài)極化：開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（I-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）

暫態(tài)極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍（VSTEP）、多電流階躍（ISTEP）伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）^#--、線性循環(huán)伏安法（CV）、腐蝕測(cè)量：動(dòng)電位再活化法（EPR）、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）、晶間腐蝕

電池測(cè)試：電池充放電測(cè)試、恒電流充放電擴(kuò)展測(cè)量：圓盤電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、控制電位電解庫(kù)侖法（BE）、掃描階躍混合方法（SSF）、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）

3、武漢科思特CS150H電化學(xué)工作站儀器配置

1）儀器主機(jī)1臺(tái)；

2）CorrTest測(cè)試與分析軟件1套

3）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

4）電極電纜線（含噪聲測(cè)量線）1條

5）模擬電解池1個(gè)（儀器自檢器件）

6）電化學(xué)實(shí)驗(yàn)配件1套，含：電解池1套、參比電極1支、鉑金輔助電極1支。

5、售后服務(wù)

1）質(zhì)保期3年。免費(fèi)提供同型號(hào)軟件升級(jí)。

2）根據(jù)用戶需要，免費(fèi)安裝調(diào)試培訓(xùn)。

3）提供終身維修服務(wù)。免維修費(fèi)，質(zhì)保期外酌收材料成本費(fèi)。

4）快遞送貨，運(yùn)費(fèi)及儀器在運(yùn)輸過(guò)程中造成的損壞由供貨方承擔(dān)。